建設地點：廣東省東莞市松山湖園區總部二路2號
項目概況：廣東光大第三代半導體科研制造中心1區項目，由東莞市中晶松湖半導體科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司投資，計劃投資44億元，占地面積約202畝、建筑面積19萬平方米左右。建設周期為2022年至2024年，建成后主要生產制造2至4英寸氮化鎵襯底、2至6英寸GaNonGaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片，預計年產值約44億元。現為園區內各芯片生產企業生產廢水處理提供配套環保工程，現擬建1座公共生產廢水處理廠集中處理園區內各企業生產廢水，東莞中灝環境科技有限公司作為運營單位，預計處理規模合計為11000m3/d。其中含砷生產廢水處理規模為1000m3/d，其他不含第一類污染物生產廢水處理規模為10000m3/d。主要收集項目所在園區內東莞市中晶松湖半導體科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司兩家企業產生的生產廢水。
該項目主要建設內容包括：酸堿、含氟、含氨廢水處理系統、一般廢水處理系統、研磨廢水預處理系統、有機廢水預處理系統、含砷廢水處理系統和物化處理系統、生化處理系統、RO反滲透系統以及污泥處理系統，同時配套建設相應的公用工程及輔助工程。含砷廢水經處理達標后排入附近南畬朗排渠。其他不含第一類污染物生產廢水經處理后納入東莞市南畬朗污水處理廠處理達標后排放。

會員可見完整內容   馬上解鎖查看